E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Resultados: 39
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
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677En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET
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1.000En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.5 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET
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2.819En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D²PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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490En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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262En existencias
1.000Se espera el 19-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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3.759En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 23A N-CH MOSFET
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40En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 26A N-CH MOSFET
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45En existencias
3.000Se espera el 27-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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Min.: 1
Mult.: 1
Si

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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Min.: 1.000
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 32A N-CH MOSFET
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Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel