SP8K Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8K Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 45 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 80 V 3.4 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 45 V 4.5 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 3 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2.500Se espera el 20-02-2026
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 4.5 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape