NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules

onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules are 1200V, 800A rated half-bridge IGBT power module. These modules integrate Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen 7 diodes to provide low conduction losses and switching losses. This enables designers to achieve high efficiency and superior reliability. Typical applications include motor drives, servo drives, Commercial Agriculture Vehicles (CAV), solar drives, and UPS.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
60En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray