60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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14.597En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 16 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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3.394En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT DFN3333-8L P-Channel 1 Channel 60 V 38 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.132En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN3333-8 P-Channel 60 V 13 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
26.107En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.652En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.712En existencias
3.000Se espera el 16-12-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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615En existencias
3.000Se espera el 21-09-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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1.792En existencias
12.000En pedido
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.112En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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1.095En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 60 V - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
5.567En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
333En existencias
3.000Se espera el 19-02-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.884En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 16 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
10En existencias
5.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN3333-8 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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809En existencias
3.000Se espera el 14-12-2026
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
82En existencias
9.000Se espera el 20-11-2026
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
15.000Se espera el 21-12-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3.000Se espera el 06-05-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN3333-8L P-Channel 1 Channel 60 V 18 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel