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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 12858 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-GAN041-650WSBQ

Fabricante N.º:

GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

GAN041-650WSBQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$10.102	$101.020
	$9.475	$473.750
	$9.318	$931.800
	$7.918	$1.583.600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 30)
	$10.102	$303.060

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	SOT-429-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	47.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	934661752127
Peso de la unidad:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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