Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Hoja de datos
111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.493En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Hoja de datos
224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Hoja de datos
5En existencias
60Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Hoja de datos
52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Hoja de datos
45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Hoja de datos
61En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
20Se espera el 25-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Hoja de datos
25Se espera el 25-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Hoja de datos
176En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement