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TGF3015-SM

Name: Qorvo TGF3015-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3015-SM
Price: 84833 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-TGF3015-SM

Fabricante N.º:

TGF3015-SM

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

Hoja de datos:

TGF3015-SM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$84.833	$84.833
	$60.865	$1.521.625
	$55.124	$5.512.400

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-EP-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	32 V
Id - Corriente de drenaje continua:	557 mA
Dp - Disipación de potencia :	15.3 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	TGF3015-SM-EVB1
Ganancia:	17.1 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	30 MHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	11 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	TGF3015
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 2.7 V
Alias de las piezas n.º:	TGF3015 1120419
Peso de la unidad:	6,745 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

HEMT GaN TGF3015-SM

TriQuint's TGF3015-SM is a 10W (P3dB), 50ohm-input matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from 30MHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance, while the output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band. The device is housed in an industry-standard 3x3mm package that saves real estate of already space-constrained handheld radios.
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QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.