Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Resultados: 348
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 325En existencias
500Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 123En existencias
240Se espera el 23-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 741En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 611En existencias
1.000Se espera el 10-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 980En existencias
2.000Se espera el 16-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1.896En existencias
2.500Se espera el 07-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3.217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 924En existencias
2.500Se espera el 16-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 7.759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4.410En existencias
6.000Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 212En existencias
500Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1.451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 813En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD 411En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam 2En existencias
5.000Se espera el 03-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output 3.482En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output 1.393En existencias
2.500Se espera el 23-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 544En existencias
36.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000