Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
4.150 En existencias
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
1ED3251MC12HXUMA1
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDH10G120C5XKSA1
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
700 En existencias
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
+1 imagen
IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1:
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700 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
700 En existencias
1
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
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Infineon Technologies
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473 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
473 En existencias
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDWD40G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
480 En pedido
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3.005 En existencias
1
$7.025
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$3.734
100
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$2.966
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
824 En existencias
1
$5.406
10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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1.843 En existencias
30 Se espera el 13-08-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.843 En existencias
30 Se espera el 13-08-2026
1
$4.659
10
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$2.166
500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
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1.254 En existencias
1.000 Se espera el 05-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1.254 En existencias
1.000 Se espera el 05-11-2026
1
$3.881
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100
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500
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1.000
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.803
732 En existencias
4.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
732 En existencias
4.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
732 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2.000 Se espera el 27-08-2026
2.000 Se espera el 03-09-2026
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
1
$8.803
10
$5.889
100
$4.038
500
$3.818
1.000
$3.765
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.741
1.296 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.296 En existencias
1
$6.741
10
$4.606
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$3.376
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$2.966
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
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