Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
2ED300C17-ST
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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD20G65C6XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDM02G120C5XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
977 Se espera el 16-04-2026
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Controladores de puertas HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
Infineon Technologies 2ED300C17-S ROHS
2ED300C17-S ROHS
Infineon Technologies
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641-2ED300C17-SROHS
Infineon Technologies
Controladores de puertas HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
238 Se espera el 12-03-2026
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Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
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726-2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
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997 Se espera el 23-04-2026
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
997 Se espera el 23-04-2026
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
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726-IDK05G120C5XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDW40G120C5BFKSA1
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
480 Se espera el 11-06-2026
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDWD40G120C5XKSA1
Infineon Technologies
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470 Se espera el 28-01-2027
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD40G120C5XKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
6 En existencias
470 Se espera el 28-01-2027
1
$12.496
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
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726-IMW65R048M1HXKSA
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
480 Se espera el 16-06-2026
1
$8.094
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
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726-IPL60R095CFD7AUM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2.999 Se espera el 06-03-2026
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$4.933
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
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2.990 Se espera el 16-07-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2.990 Se espera el 16-07-2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.608
3.000 Se espera el 05-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3.000 Se espera el 05-11-2026
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$4.608
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2.500
$2.097
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.668
8.500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
8.500 En pedido
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1.000 Se espera el 24-02-2026
4.500 Se espera el 09-04-2026
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1
$4.668
25
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$2.196
500
$1.812
1.000
$1.743
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.834
906 Se espera el 21-05-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
906 Se espera el 21-05-2026
1
$6.834
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$3.299
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$2.905
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$5.839
1.601 Se espera el 14-05-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.601 Se espera el 14-05-2026
1
$5.839
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$4.077
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