Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Resultados: 340
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT 2.075En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas ISOLATED DRIVER 15.823En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT 1.441En existencias
2.500Se espera el 28-01-2027
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.735En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas DRIVER-IC 3.607En existencias
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Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 6.915En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 8.715En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD 381En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT 752En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu 2.788En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 22.727En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.194En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.061En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD 2.290En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD 3.159En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT 1.047En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3.184En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.990En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4.880En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 19.321En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4.483En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 917En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 772En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.462En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.361En existencias
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