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AFGHL75T65SQDC

Name: onsemi AFGHL75T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL75T65SQDC
Price: 12712 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-AFGHL75T65SQDC

Fabricante N.º:

AFGHL75T65SQDC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V

Hoja de datos:

AFGHL75T65SQDC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$7.594	$75.940
	$6.373	$637.300
	$6.082	$2.736.900

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL75T65SQDC
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	80 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

AFGHL75T65SQDC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT

onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT offers 4th generation high-speed IGBT technology. This device is AEC-Q101 qualified and provides optimum performance for hard and soft-switching topologies in automotive applications. onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT also features high current capability, fast switching, and tight parameter distribution.