ASFETs for Hotswap & Soft Start

Nexperia ASFETs for Hotswap and Soft Start offer strong SOA and low RDS(on) capabilities in a single device optimized for a non-stop world. Nexperia ASFETs protect always-on rack-based computers, communications, and storage systems from power disruption and component failure. When inserted into a live system, these components on replacement boards depend on a carefully controlled in-rush current.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 30V 365A
Hoja de datos
1.489En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 365 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 275A
Hoja de datos
1.764En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 275 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A
Hoja de datos
1.985En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 255 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A
Hoja de datos
399En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 320 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 265A
Hoja de datos
216En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 265 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 46 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 160A
Hoja de datos
1.494En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 160 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 185A
Hoja de datos
1.637En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 330A
Hoja de datos
625En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 330 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 270A
Hoja de datos
487En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 1 Channel 25 V 270 A 980 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel