Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U16TR
ROHM Semiconductor
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QS5U16TR

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755-QS5U16TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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SMD/SMT

TSMT-5

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100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

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+ 125 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.5A

US5U1TR
ROHM Semiconductor
1: $706
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US5U1TR

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755-US5U1TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.5A

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$604

$416

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1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

QS5U36TR
ROHM Semiconductor
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QS5U36TR

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755-QS5U36TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

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$605

$400

$306

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SOT-25T-5

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2.5 A

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1.3 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6

QS6U24TR
ROHM Semiconductor
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QS6U24TR

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755-QS6U24TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1A

US5U30TR
ROHM Semiconductor
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US5U30TR

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755-US5U30TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1A

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1 A

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1 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single

QS5U33TR
ROHM Semiconductor
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QS5U33TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single

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$684

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2 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 2A

QS5U28TR
ROHM Semiconductor
1: $862
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QS5U28TR

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755-QS5U28TR

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$862

$711

$492

$391

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$292

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

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QS5U12TR

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SOT-25T-2

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30 V

2 A

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- 12 V, 12 V

1.5 V

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+ 150 C

1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U13TR
ROHM Semiconductor
1: $874
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755-QS5U13TR

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SOT-25T-5

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30 V

2 A

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1.5 V

2.8 nC

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QS5U17TR
ROHM Semiconductor
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QS5U17TR

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755-QS5U17TR

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SMD/SMT

SOT-25T-5

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1 Channel

30 V

2 A

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- 12 V, 12 V

1.5 V

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1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U27TR
ROHM Semiconductor
1: $1.254
2.027En existencias

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QS5U27TR

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755-QS5U27TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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$783

$524

$405

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$312

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SOT-25T-5

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1.5 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

QS5U34TR
ROHM Semiconductor
1: $907
2.980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QS5U34TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U34TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

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$907

$568

$368

$281

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$188

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SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

180 mOhms

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1.3 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U21TR
ROHM Semiconductor
3.000: $310
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QS5U21TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U21TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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$310

$287

$260

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U26TR
ROHM Semiconductor
1: $1.131
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U26TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U26TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.131

$708

$461

$355

Envase tipo carrete

$292

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SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

US5U2TR
ROHM Semiconductor
1: $1.165
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U2TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U2TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

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$1.165

$727

$474

$365

Envase tipo carrete

$274

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-353T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

US5U35TR
ROHM Semiconductor
3.000: $311
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U35TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U35TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$311

$289

$265

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-353T-5

P-Channel

1 Channel

45 V

700 mA

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel

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