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BSR316PH6327XTSA1

Name: Infineon BSR316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSR316PH6327XTSA
Price: 904 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-BSR316PH6327XTSA

Fabricante N.º:

BSR316PH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSR316PH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-59-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	5.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	300 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	71 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	BSR316P H6327 SP001101034
Peso de la unidad:	8 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSR316P Small Signal Transistor

Infineon BSR316P Small Signal Transistor is a 20V to 250V P-channel power MOSFET. This transistor consistently meets the quality and performance requirements of power system design. The BSR316P is lead-free, AEC Q101 qualified, and features maximum 1.8Ω R_DS(on). These transistors are avalanche-rated and halogen-free. They include enhancement mode and footprint compatibility to SOT23. Applications include automotive, consumer, DC-DC, motor control, notebook, onboard charger, and eMobility.

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78.000

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Plazo de entrega de fábrica:: 21

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$904	$904
	$409	$4.090
	$361	$36.100
	$276	$138.000
	$274	$274.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$186	$558.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

BSR316PH6327XTSA1

Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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