BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
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84En existencias
4.500Se espera el 23-02-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.620En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 17.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 35.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.674En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 25.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 5 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.253En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 30.2 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.944En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 51.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
413En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
373En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
999En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 6.8 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK762R6-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
729En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.97 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 140 nC - 55 C + 175 C 324 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K25-40E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
36En existencias
1.500Se espera el 21-12-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 21.25 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
914En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
1.118En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A
Hoja de datos
1.289En existencias
4.500Se espera el 08-02-2027
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 53A
Hoja de datos
327En existencias
7.500Se espera el 01-06-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 9.4A
Hoja de datos
2.178En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 22A
Hoja de datos
347En existencias
1.500Se espera el 19-02-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
102En existencias
4.800Se espera el 30-06-2026
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 31 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
98En existencias
9.600En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 26A N-CH
Hoja de datos
79En existencias
1.500Se espera el 08-02-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 26 A 26.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
173En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 23 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A
Hoja de datos
139En existencias
1.500Se espera el 08-09-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 15 mOhms - 10 V, 16 V 1.5 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 84A
Hoja de datos
58En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 8.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 44.2 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
654En existencias
3.000Se espera el 07-12-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 10 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.129En existencias
3.000Se espera el 14-12-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y43-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
174En existencias
7.500Se espera el 25-06-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 38 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel