BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 89A
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22.290En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51.6 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 26A
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527En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 22.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D
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305En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.5 A 75.8 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
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196En existencias
15.000Se espera el 14-12-2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 N-CH 80V 120A
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988En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 4.2 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 123 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A
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Plazo de entrega 16 Semanas
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
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961En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 80 V 51 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 66 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
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230En existencias
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Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 24 A 31.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M16-100L/SOT1210/mLFPAK
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1.353En existencias
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Si SMD/SMT Power33-4 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 15.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 28.5 nC - 55 C + 175 C 19.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M60-100L/SOT1210/mLFPAK
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1.210En existencias
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Si SMD/SMT Power33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 50.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK
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1.475En existencias
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SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
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83.833En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 97 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9611-80E/SOT404/D2PAK
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1.688En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 75 A 11 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 48.8 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK
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5.377En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 39.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R0-60RA/SOT669/LFPAK 1.500En existencias
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SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK 1.500En existencias
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SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
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805En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 169 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 40A
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8.640En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34.2 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 85A
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2.423En existencias
4.500Se espera el 01-06-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 30A
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14.774En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.66 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
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3.002En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 54.7 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D
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1.947En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 38.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
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1.287En existencias
1.500Se espera el 23-03-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK
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1.437En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
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84En existencias
4.500Se espera el 16-03-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel