Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 1851 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-MJE13007G

Fabricante N.º:

MJE13007G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 8A 400V 80W NPN

Hoja de datos:

MJE13007G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi MJE13007G

En existencias: 8.007

Existencias:: 8.007 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.851	$1.851
	$880	$8.800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	8 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	400 V
Tensión VCBO colector-base:	700 V
Voltaje VEBO emisor-base:	9 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1 V
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	14 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MJE13007
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	8 A
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	MY
País de origen:	CN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	8
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MJE13007G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.