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NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 157635 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-H008T120M3F2PTHG

Fabricante N.º:

NXH008T120M3F2PTHG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Hoja de datos:

NXH008T120M3F2PTHG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	PIM-29
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	129 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	20.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	137 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	41.5 ns
Vf - Tensión directa:	4.8 V

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Hoja de datos

NXH008T120M3F2PTHG Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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