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TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 10685 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H050G4YS

Fabricante N.º:

TP65H050G4YS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Hoja de datos:

TP65H050G4YS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$10.685	$10.685
	$6.319	$63.190
	$5.358	$535.800
	$4.652	$2.326.000
	$4.570	$5.484.000
	$4.560	$10.944.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	132 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Cascode
Tiempo de caída:	8 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	1200
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^® FET is a 50mΩ Gallium Nitride (GaN) normally-off device available in 4 Lead TO-247 package. This Gen IV SuperGaN FET uses Gen IV platform, which supports advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The TP65H050G4YS 650V FET combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET for superior reliability and performance. This SuperGaN FET improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Typical applications include datacom broad industrial, PV inverter, and servo motor.