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UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 76059 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-UF3N120007K4S

Fabricante N.º:

UF3N120007K4S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$76.059	$76.059
	$63.056	$630.560
	$56.246	$6.749.520
1.020	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V to 30 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	20 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.1 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UF3N
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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UF3N120007K4S Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N120007K4S 1200V JFET N-Channel Transistor

onsemi UF3N120007K4S 1200V EliteSic JFET N-Channel Transistor is a 1200V, 7.1mΩ high-performance Gen 3 normally-on SiC JFET transistor. This device exhibits ultra-low on-resistance [R_DS(ON)] in a TO247-4 package, making it ideal for addressing the challenging thermal constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The onsemi UF3N120007K4SJFET is a robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.