Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Empaquetado
Vishay SQRS110ELP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
2.950Se espera el 10-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay SQRS136EP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2.950Se espera el 29-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay SQRS138EP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2.950Se espera el 25-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay SQRS150EP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2.950Se espera el 25-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors SQRS182ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
5.950Se espera el 29-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel 80 V
Vishay SQRS510EP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
3.000Se espera el 10-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay SQRS582EP-T1_GE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
3.000Se espera el 10-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel