FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Hoja de datos
1.945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 17A FET
Hoja de datos
2.060En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 17A FET
Hoja de datos
1.728En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
Hoja de datos
1.705En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
Hoja de datos
4.698En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 29A FET
Hoja de datos
286En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
Hoja de datos
720En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
Hoja de datos
2.483Se espera el 09-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement