MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
Hoja de datos
26.735En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Hoja de datos
29.441En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel