650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Hoja de datos
1.983En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Hoja de datos
1.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Hoja de datos
450Se espera el 06-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Hoja de datos
450Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC