HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
P1dB: punto de compresión
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF GaN Driver Ampllifier
Hoja de datos
103En existencias
96En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF GaN Driver Ampllifier
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel