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MSC025SMA330B4N

Name: Microchip MSC025SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMA330B4N
Price: 205879 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSC025SMA330B4N

Fabricante N.º:

MSC025SMA330B4N

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	3.3 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	104 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	Microchip Technology
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo:	Discrete mSiC MOSFET

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MSC025SMA330B4N N-Channel mSiC™ MOSFET

Microchip Technology MSC025SMA330B4N N-Channel mSiC™ MOSFET is a 3300V discrete silicon carbide power MOSFET in the MA Family. The device employs a TO-247-4 Notch package and supports high-voltage switching in demanding power-electronics designs. The MSC025SMA330B4N is developed to reduce conduction losses and improve system efficiency via low on-state resistance and reliable switching performance. Microchip Technology MSC025SMA330B4N N-Channel mSiC MOSFET also offers low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and stable operation at elevated junction temperatures.