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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 31226 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L014N120M3P

Fabricante N.º:

NTH4L014N120M3P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V

Hoja de datos:

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	127 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.63 V
Qg - Carga de puerta:	329 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	686 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

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Hoja de datos

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L014N120M3P

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L014N120M3P de onsemi está optimizado para aplicaciones de potencia. Los MOSFET de onsemi cuentan con tecnología planar que funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se controla con una unidad de puerta de 18 V, pero también funciona bien con una unidad de 15 V.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.