Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 7287 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTMTS002N10MCTXG

Fabricante N.º:

NTMTS002N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Hoja de datos:

NTMTS002N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTMTS002N10MCTXG

En existencias: 2.525

Existencias:: 2.525 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.287	$7.287
	$4.993	$49.930
	$3.781	$378.100
	$3.555	$3.555.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$3.535	$10.605.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFNW-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	236 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	89 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	255 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	180 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	NTMTS002N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	59 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMTS002N10MCTXG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs are crafted using the advanced Power Trench process featuring Shielded Gate technology. The onsemi NTMTS002N10MC MOSFETs have a compact 8mm x 8mm footprint and enable space-efficient designs. The devices' low R_DS(on) ensures minimal conduction losses, while low Q_G and capacitance reduce driver losses, ensuring superior switching performance. Encased in the Power 88 package, these MOSFETs are Pb-free and RoHS-compliant, aligning with modern environmental standards.