SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

Resultados: 199
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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2.837En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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5.990En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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2.723En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2.127En existencias
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2.393En existencias
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 72 A 6.88 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSF
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1.361En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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17.022En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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11.332En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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5.986En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
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51.312En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 27.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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7.534En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 60 V 63 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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5.708En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A, 60 A 4.5 mOhms, 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
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2.799En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A, 54 A 15.5 mOhms, 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC, 25 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
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1.515En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Comentarios de Producto
18.113En existencias
24.000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 36 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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6.914En existencias
15.000Se espera el 25-12-2026
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 52 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 73 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
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6.166En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 32 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 101 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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7.660En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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17.334En existencias
66.000En pedido
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 18 A, 30 A 12 mOhms, 52.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 2.5 V 30 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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9.099En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 29.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4
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960En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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293En existencias
6.000Se espera el 20-08-2026
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 350 A 1.12 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 107 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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3.439En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)
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3.641En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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63En existencias
3.000Se espera el 12-10-2026
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 60 V 67 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape