Resultados: 52
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150
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NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
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NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
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NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
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NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50