FZ2000R33HE4 & FZ1400R33HE4 3300V IGBT Modules

Infineon Technologies FZ2000R33HE4 and FZ1400R33HE4 3300V Single-Switch IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodes. Insulated-gate bipolar transistors are three-terminal power semiconductor devices used as electronic switches to combine high efficiency and fast switching. FZ2000R33HE4 is a 2000A 190mm single-switch module. FZ1400R33HE4 is a 1400A 130mm single-switch module. The devices offer high short-circuit capability and current density with low switching losses. Applications include high-power converters, medium-voltage converters, and motor and traction drives.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2
Mult.: 2

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.3 V 1.4 kA 400 nA 2.9 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.2 V 2 kA 400 nA 4.2 MW - 40 C + 150 C Tray