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NVTYS014N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS014N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS014N08HLTWG
Price: 1654 CLP
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

863-NVTYS014N08HLTWG

Fabricante N.º:

NVTYS014N08HLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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	$1.024	$102.400
	$836	$418.000
	$733	$733.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$443	$1.329.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-33
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	15.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	54 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	54 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	NVTYS014N08HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.7 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS014N08HL Power MOSFET

onsemi NVTYS014N08HL Power MOSFET is an 80V, 13.9mΩ, and 40A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTYS014N08HL power MOSFET is AEC-Q101 qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications.