ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (POUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (PIN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the VGG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs
Hoja de datos
87Se espera el 13-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

300 MHz to 6 GHz 28 V 32.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C ADPA1116 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500
300 MHz to 6 GHz 28 V 32.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C ADPA1116 Reel