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NVBG050N170M1

Name: onsemi NVBG050N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG050N170M1
Price: 20846 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NVBG050N170M1

Fabricante N.º:

NVBG050N170M1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC 1700V M1 52MO D2PAK-7

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

NVBG050N170M1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$20.846	$20.846
	$17.055	$170.550
	$15.076	$1.507.600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$15.056	$12.044.800

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	76 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	107 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	385 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	NVBG050N170M1
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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NVBG050N170M1 Hoja de datos

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-1-5 (PDF)

ECCN:: EAR99

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a part of the 1700V M1 planar SiC MOSFET family optimized for fast switching applications. This MOSFET features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), 1700V drain-to-source voltage, 50A continuous drain current, and ultra-low gate charge (typical Q_G(tot) = 107nC). The NVBG050N170M1 SiC MOSFET operates at low effective output capacitance (typical C_oss = 97pF) and -15V/+25V gate-to-source voltage. This SiC MOSFET is 100% avalanche tested and is available in a D2PAK-7L package. The NVBG050N170M1 SiC MOSFET is Pb-free 2LI, Halide-free, and RoHS compliant with exemption 7a. Typical applications include a flyback converters, an automotive DC-DC converters for EVs/HEVs, and an automotive On Board Chargers (OBCs).