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AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 12116 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-AFGHL50T65SQDC

Fabricante N.º:

AFGHL50T65SQDC

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	268 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65SQDC
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	100 A
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC
Peso de la unidad:	7,326 g