DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
If - Corriente directa
Configuración
Vf - Tensión directa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos de Diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos de Diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos de Diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 15
Mult.: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray