Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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59 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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TO-252AA-2

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88 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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94 A

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AEC-Q101

Reel

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1 Channel

60 V

54 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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DFN-3333-8

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1 Channel

60 V

36 A

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- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

11.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4576AP-AU_R2_002A1
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DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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DFN-5060-8

N-Channel

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190 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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60 V

89 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5564A-AU_R2_002A1
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DFN-5060-8

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60 V

59 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

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PJQ5572A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5572AAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$939

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5574A-AU_R2_002A1
Panjit
3.000: $730
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5574A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5574AAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$730

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5576A-AU_R2_002A1
Panjit
1: $2.117
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5576A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5576AAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$2.117

$1.350

$908

$720

$659

Envase tipo carrete

$584

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5590-AU_R2_002A1
Panjit
3.000: $1.288
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5590-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5590AUR2002A1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

$1.288

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

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65 A
66 A
75 A
88 A
89 A
94 A
168 A
190 A