GCMS040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 1200V SiC COPACK Power Module

Hoja de datos:
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1.000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
Marca: SemiQ
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 16 ns
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: COPACK Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico: 21 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Vf - Tensión directa: 1.52 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low QRR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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