Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

Todos los resultados (149)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET 383.304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 1.602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Reguladores y monitores de potencia y corriente Auto Grade MicPWR Current Monitor 3uA 14.186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 20.310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 157.719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3A SBR 60Vrrm 3A 0.62Vf 100Ir 79.758En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA 18.001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 25.833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 19.193En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 5.257En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K 355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 1.574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000



Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM7050 T&R 1K 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 93.692En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 80.176En existencias
81.000Se espera el 13-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Comparadores analógicos 36V Dual Comparator 25nA 0.6mA 25nA 1mV 28.110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 2.967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM2520 T&R 3K 2.273En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 5.892En existencias
3.000Se espera el 01-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3.810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 5.833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A 34.029En existencias
192.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9.000
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode 19.527En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 38.882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA 80.100En existencias
54.000Se espera el 24-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000