Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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391.783En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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110.968En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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178.774En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 60Vrrm 42Vr 0.7Vf 0.5mA 30A
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30.761En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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19.453En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
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7.838En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
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46.924En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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23.252En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
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21.065En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3A SBR 60Vrrm 3A 0.62Vf 100Ir
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92.137En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
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18.781En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
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148.115En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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22.567En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
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8.179En existencias
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Diodes Incorporated Reguladores y monitores de potencia y corriente Auto Grade MicPWR Current Monitor 3uA
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14.460En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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28.665En existencias
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Diodes Incorporated Referencias de voltaje 1.24V Shunt Reg 1.0 20mA 3 Grades 80uA
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18.381En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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8.821En existencias
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Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 5.295En existencias
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Diodes Incorporated Referencias de voltaje Prec MicroPwr Shunt 2.5V 15mA 60uA 35VHz
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10.450En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3A Schottky Rec 60Vrrm 42Vr 100 Ifsm
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6.120En existencias
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Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
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5.533En existencias
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Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
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1.579En existencias
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Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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1.962En existencias
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Diodes Incorporated OSC CMOS Low Jitter Crystal Clock Oscillator (XO) 2.283En existencias
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