Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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1.000Se espera el 25-02-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
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1.000Se espera el 10-02-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
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3.339Se espera el 13-04-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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1.555En existencias
6.000Se espera el 06-04-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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169En existencias
1.000Se espera el 11-05-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
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1.000Se espera el 09-03-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
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2.021En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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1.238En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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385En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3