Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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9.603En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 3.2mohm 135 A - NTMFS6H818NL
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7.215En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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1.634En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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4.390En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
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1.317En existencias
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Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 125 nC - 55 C + 175 C 258 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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15.413En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
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2.134En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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4.023En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm
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2.230En existencias
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Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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22.638En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free)
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985En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NVTFS6H880NLWFTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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6.886En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm
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1.890En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 155 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1.450En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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3.470En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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1.390En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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3.883En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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1.332En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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14.901En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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13.827En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL
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3.029En existencias
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Carrete: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 166 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15mohm
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2.222En existencias
25.500Se espera el 27-03-2026
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Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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1.130En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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4.916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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9.727En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 44 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel