Módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG

Los módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG de onsemi son paquetes de dos módulos con dos conmutadores MOSFET SiC de 1200 V de 4 mΩ de 3 mΩ y un termistor de cobre de enlace directo (DBC) de alúmina templada con zirconia (HPS) o de nitruro de silicio (Si3N4). Los conmutadores MOSFET SiC en paquete F2 utilizan la tecnología M3S y cuentan con un rango de control de puertas de 15 V a 18 V. Las aplicaciones incluyen conversiones CC-CA, CC-CC y CA-CC.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray