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VSMA1085750X02

Name: Vishay VSMA1085750X02
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VSMA1085750X02
Price: 3108 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-VSMA1085750X02

Fabricante N.º:

VSMA1085750X02

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Emisores infrarrojos HIPOW IR EMITTING DIODE 940NM -E3

Hoja de datos:

VSMA1085750X02 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
	$1.472	$883.200
	$1.360	$1.632.000
	$1.299	$3.117.600
	$1.278	$6.134.400

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Emisores infrarrojos
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Longitud de onda:	850 nm
Intensidad radiante:	1600 mW/sr
If - Corriente directa:	1 A, 1.5 A
Vf - Tensión directa:	3.9 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Paquete / Cubierta:	3.4 mm x 3.4 mm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	16 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IR Emitters (IR LEDs)
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	VSM
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Infrared Data Communications

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USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 854141000
TARIC:: 8541410000
MXHTS:: 8541410100
ECCN:: EAR99

VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode

Vishay VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode is part of the Astral portfolio. Vishay VSMA1085750X02 is an 850nm infrared emitting diode with a double stack emitter chip for maximum radiant power. The device has a 42-millimeter chip size, allows 1.5A DC operation, and accommodates pulsed currents up to 5.0A.