Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,P-CHANNEL
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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