Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1.486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ 5.311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 12.322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 43.942En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET 16.591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode 7.838En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V 5.043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW 42.229En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A 7.348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 9.710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF 36.733En existencias
6.000Se espera el 04-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2.729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K 5.033En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss 10.098En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel .25W 29.579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2.679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 3.564En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss 12.625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K 119.023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K 4.807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF 15.164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF 52.690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W 44.668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs 6.264En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K 38.774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS 3.242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500