Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1.486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 10.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS 16.882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 22.414En existencias
36.000Se espera el 08-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.8A N-Channel MOSFET 6.684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 0.7A 42.127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chanl UMOS 27.140En existencias
34.212En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chnl UMOS 3.929En existencias
4.000Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS 10.732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P Chnl UMOS 4.511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS 7.545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Chnl UMOS 14.914En existencias
10.000Se espera el 01-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS 10.361En existencias
32.870Se espera el 30-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS 21.483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet 24.148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ 4.312En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW 188.954En existencias
132.000Se espera el 01-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 65.090En existencias
33.000Se espera el 06-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW 163.605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 115.066En existencias
78.000Se espera el 08-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 150mW 94.255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 67.167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW 57.102En existencias
99.000Se espera el 19-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 10K 326.509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW 230.147En existencias
84.000Se espera el 06-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 300mW 241.748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000