Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 38

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: $167.072
207En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Hoja de datos

207En existencias

Cinta cortada

$167.072

$141.735

$134.762

$131.521

$121.224

Envase tipo carrete

$121.224

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: $359.552
38En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos

38En existencias

Cinta cortada

$359.552

$315.739

$303.265

Envase tipo carrete

$295.269

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: $429.316
111En existencias
250Se espera el 22-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

Hoja de datos

111En existencias

250Se espera el 22-06-2026

Cinta cortada

$429.316

$372.088

$357.794

Envase tipo carrete

$349.174

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

25.1 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: $418.876
72En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

$418.876

$362.814

$348.827

Envase tipo carrete

$340.381

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

135 V

1.8 MHz to 500 MHz

23.7 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230H-4S

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1: $344.307
282En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP6300HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos

282En existencias

Cinta cortada

$344.307

$330.719

Envase tipo carrete

$330.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

26.5 dB

300 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: $40.459
302En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

302En existencias

$40.459

$32.872

$30.858

$30.327

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: $39.948
146En existencias
250Se espera el 25-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

146En existencias

250Se espera el 25-06-2026

$39.948

$32.504

$32.075

$29.519

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: $361.250
7En existencias
50En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Hoja de datos

7En existencias

50En pedido

Cinta cortada

$361.250

$299.339

Envase tipo carrete

$299.339

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: $4.857
5.240En existencias
4.760En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

5.240En existencias

4.760En pedido

Cinta cortada

$4.857

$3.691

$3.395

$3.067

Ver

Envase tipo carrete

$2.750

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: $4.887
1.420En existencias
23.000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

1.420En existencias

23.000En pedido

Cinta cortada

$4.887

$3.415

$3.108

$2.996

Ver

Envase tipo carrete

$2.229

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

N-Channel

4 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

20.9 dB

4.9 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOT-89-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: $39.416
708En existencias
2.500En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

708En existencias

2.500En pedido

Cinta cortada

$39.416

$32.024

$30.173

$28.138

$27.228

Envase tipo carrete

$26.584

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $23.629
204En existencias
1.000Se espera el 23-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

204En existencias

1.000Se espera el 23-06-2026

Cinta cortada

$23.629

$18.916

$17.617

$17.259

Ver

Envase tipo carrete

$16.308

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $19.989
219En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

219En existencias

Cinta cortada

$19.989

$15.940

$14.928

$14.499

Envase tipo carrete

$13.538

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: $100.141
191En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

Hoja de datos

191En existencias

Cinta cortada

$100.141

$83.587

$79.456

$77.933

Ver

Envase tipo carrete

$71.440

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

1.5 A

66 V

1 GHz

21.1 dB

14 W

+ 150 C

Screw Mount

TO-270

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: $19.161
248En existencias
1.000Se espera el 24-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

248En existencias

1.000Se espera el 24-06-2026

Cinta cortada

$19.161

$15.266

$14.294

$13.844

Ver

Envase tipo carrete

$13.241

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

N-Channel

65 V

728 MHz to 3.7 GHz

16 dB

28.8 dBm

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5W

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

MRFX035HR5
NXP Semiconductors
1: $138.381
7En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX035HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

$138.381

$107.769

Envase tipo carrete

$107.769

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

193 V

1.8 MHz to 512 MHz

24.8 dB

35 W

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-360H-2SB

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: $4.581
147En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

147En existencias

Cinta cortada

$4.581

$3.405

$2.986

$2.812

Ver

Envase tipo carrete

$2.096

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: $63.536
8En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

8En existencias

Cinta cortada

$63.536

$44.140

Envase tipo carrete

$44.130

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: $181.519
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

$181.519

$153.974

$146.745

$144.792

Envase tipo carrete

$135.672

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.4 GHz

25 dB

10 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: $45.224
2.612Se espera el 09-07-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2.612Se espera el 09-07-2026

$45.224

$37.136

$32.760

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: $89.487
480Se espera el 09-07-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

480Se espera el 09-07-2026

$89.487

$75.070

$66.767

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: $441.667
150Se espera el 23-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Hoja de datos

150Se espera el 23-06-2026

Cinta cortada

$441.667

$359.583

Envase tipo carrete

$359.583

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 600 MHz

24 dB

1.25 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230HS

MRFE6VP61K25HSR5
NXP Semiconductors
1: $405.144
100Se espera el 16-06-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HSR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HSR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230HS

Hoja de datos

100Se espera el 16-06-2026

Cinta cortada

$405.144

$328.847

Envase tipo carrete

$328.847

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 600 MHz

24 dB

1.25 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230S-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

MHT1803A
NXP Semiconductors
1: $39.958
239Se espera el 01-10-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803A

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

239Se espera el 01-10-2026

$39.958

$32.515

$30.347

$27.566

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

330 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W

AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1: $10.787
3.980Se espera el 09-07-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS007NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W

Hoja de datos

3.980Se espera el 09-07-2026

Cinta cortada

$10.787

$7.730

$6.902

$6.697

Ver

Envase tipo carrete

$5.409

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15.2 dB

7.3 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
17.2 dB
17.7 dB
18.5 dB
19.1 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.4 dB
20.9 dB
21.1 dB
23 dB
23.7 dB
24 dB
24.4 dB

2 W
4.9 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
14 W
28.8 dBm
32 W
33 W
35 W
70 W
100 W
115 W
300 W
330 W
500 W
600 W
700 W
1 kW

DFN-16
HVSON-16
NI-1230
NI-1230-4
NI-1230H-4
NI-1230H-4S
NI-1230S-4
NI-360H-2SB
NI-780-4
NI-780H-2
NI-780H-4
OM-1230-4
OM-780-4
PLD-1.5
PLD-1.5W
PQFN-24
SOT-89-3
TO-220-3
TO-247-3
TO-270