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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 17.011En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 14.410En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101 11.310En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3.720En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.861En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 3.201En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101 2.860En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101 1.985En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100 1.735En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Automotive H switch motor driver 1.970En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.614En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.682En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 14.977En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 7.472En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 14.692En existencias
36.000Se espera el 22-05-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4.000En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay Automotive; AEC-Q101 1.397En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101 9.254En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101 3.284En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de fotodiodo PV Coupler Automotive; AEC-Q101 4.588En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 90.678En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 8.705En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 5.422En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 7.050En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 812En existencias
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