U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

Resultados: 65
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
Hoja de datos
234En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
Hoja de datos
19En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 74 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
97En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 82 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 47 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
3.965En existencias
5.000Se espera el 20-02-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 92 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 27 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt N-Channel
Hoja de datos
152En existencias
4.500Se espera el 16-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 890 uOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 72A
Hoja de datos
1.275En existencias
5.000Se espera el 17-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 105 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
Hoja de datos
3.988En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
220En existencias
5.780En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 68 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
6.450En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 161 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
10.000Se espera el 16-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 232 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 74 nC + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Hoja de datos
10.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 260 A 1.29 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 91 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
5.994Se espera el 16-02-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 150 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 73 nC + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 124 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 135 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 55 nC + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel